深圳市国仪兴科技有限公司
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半导体前道工艺设备
Ametek-Modulab® XM 光电化学测试系统
2023-01-16
产品特点:1、频域和肘域的测试技术,包括:IMPS,IMVS,阻抗,光电压衰减,电量抽取,I-V 曲线和IPCE 测量2、对有效扩散系数的计算和电子寿命的“自动”数据分析的“一键式”操作,适合于对频域测试技术比较陌生的使...
Quantum Design-超高温高速退火炉
2023-08-07
这款桌面式超高温高速退火炉以大功率点聚焦加热以及超高反射效率可以在10s 内将15mm×15mm 的试样加热到1800℃,对SiC 以及其它高熔点材料进行退火处理。产品特点:• 可以在10s 内加热到超高温1800℃;• 可以加热后...
牛津仪器-PlasmaPro 100 RIE
2023-08-07
PlasmaPro 100 RIE模式可为多种材料提供各向异性干法刻蚀工艺。兼容200mm以下所有尺寸的晶圆快速更换不同尺寸晶圆购置成本低且易于维护出色的均匀性,高产量和高工艺精度实时监测清洗工艺, 并且可自动停止工艺电极的...
盛美半导体-电镀设备 Ultra ECP ap
2023-08-07
主要优势 高速电镀铜同时实现更好的均匀化控制 水平式电镀腔体,无交叉污染 可单腔体维护,提高设备正常运行时间(up time) Rubber Seal 技术, 更好的密封性能 第二阳极技术,更好地控制均一性 灵活的工序控制特性和...
韦氏纳米-原子层沉积系统 ALD-4000
2023-08-07
独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统Labview软件,具备四级密码控制的用户授权保护功能安全互锁设计,强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)12”的铝质反应腔体,带...
牛津仪器-FlexAL
2023-08-07
lexAL系统可提供远程等离子体原子层沉积(ALD),这为纳米结构和器件的工程设计提供了一系列新的灵活性和可行性。在同一设备中可灵活使用远程等离子体与热ALD集群式配置保证始终于真空下传送衬底盒式对盒式操作可提高...
PICOSUN-原子层沉积系统ALD R-1000 Pro
2023-08-07
PICOSUN™ P系列量产ALD系统定义了高产量ALD的新时代。我们全自动化、真空集群与产线兼容的P系列ALD确保了最大的产出效率,并且具有世界级的工艺纯度和薄膜均匀性,甚至能完全满足具有最严格要求的半导体行业标准。P...
日新-IMPHEAT-II
2023-08-07
特长晶圆温度至500℃的高温注入铝离子注入平行束±0.5°及以下的射束平行度控制功能注入前的预想均一性检查功能能量污染的完全去除功能
日新-EXCEED系列
2023-08-07
特长±0.5°及以下的射束平行度控制功能平行束注入前的预想注入均一性检查功能能量污染的完全去除功能Load Port FOUP
Axcelis-Purion XE 系列高能离子注入机
2023-08-07
我们的 Purion XE 系列离子注入机迅速赢得了行业标杆的美誉,适用于当今要求严苛的高能工艺。独特的射频直线加速器 (LINAC) 技术相比竞品平台具有更好的可靠性,更宽的能量范围,更高的产能,以及卓越的金属污染控制...
大族-全自动激光退火设备 DSI-S-LA9200
2023-08-07
主要特点:1、整机模块化设计与集成,提供系统解决方案2、退火面均匀性高,电学特性优秀3、兼容4、6英寸薄片晶圆4、激光分布均匀、能量稳定,配置监控与补偿系统5、严格控制腔体含氧量和非退火面温度6、高精度全自动...
北方华创-THEORIS 302/FLOURIS 201 立式氧化炉
2023-08-07
立式氧化炉(300mm/200mm)是在中高温下通入特定气体(O2/H2/DCE),在硅片表面发生氧化反应,生成二氧化硅薄膜的一种设备。生成的二氧化硅薄膜可以作为集成电路器件前道的缓冲介质层、牺牲氧化层和栅氧化层。 随着...
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